锑化铟

化合物

锑化铟(InSb)是一种由(In)和(Sb)元素组成的金屬間化合物,可由兩種單質高溫反應製得。锑化铟是一种半导体材料,廣泛應用於紅外探測器英语Infrared detector製備[2]紅外線導引导弹制导红外天文学等領域。锑化铟於1951年首次被發現[3]

锑化铟
识别
CAS号1312-41-0  checkY
PubChem3468413
ChemSpider2709929
SMILES
 
  • [In]#[Sb]
UN编号1549
EINECS215-192-3
RTECSNL1105000
性质
化学式InSb
摩尔质量236.58 g·mol−1
外观暗灰色晶体
密度5.775 g⋅cm−3
熔点527 °C(800 K)
能隙0.17 eV eV
电子迁移率7.7 mC⋅s⋅g−1 (at 27 °C)
熱導率180 mW⋅K−1⋅cm−1 (at 27 °C)
折光度n
D
4.0
结构
晶体结构立方晶系
空间群T2d-F-43m
配位几何四面體
危险性
GHS危险性符号
《全球化学品统一分类和标签制度》(简称“GHS”)中有害物质的标签图案 《全球化学品统一分类和标签制度》(简称“GHS”)中对环境有害物质的标签图案[1]
GHS提示词WARNING
H-术语H302, H332, H411
P-术语P273
相关物质
其他阴离子氮化銦
磷化銦
砷化铟
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

参考文献编辑

  1. ^ Indium Antimonde. American Elements英语American Elements. [June 20, 2019]. (原始内容存档于2021-05-07). 
  2. ^ 《半导体材料技术》. 张玉龙等主编 杭州:浙江科学技术出版社 2010 第150页. (原始内容存档于2021-04-18). 
  3. ^ Liu, T. S.; Peretti, E. A. Trans AIME, vol. 191, p. 791 (1951).
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