芯片制程技术节点

自1960年代中期芯片商业化量产以来，芯片制程技术也如影随形的伴随着发展了大约30余代：其中每代又包含几个节点等级，大致可以分为：

业界对先进制程和成熟制程并无统一定义，最为广泛应用的有两个，分别为世界最大芯片市场中国大陆和世界最大半导体生产设备供应国美国所定：中国大陆对先进和成熟制程之定义较为宽松，即28纳米及以上的芯片制程为成熟制程，小于28纳米的为先进制程。^{[24][25][26][27][28]}如此定义的科学依据是根据芯片设计：当晶体管的尺寸小于25纳米以下时，传统的平面场效应管(planar field effect transistor / planar FET)的尺寸已经无法缩小，所以须采用鳍式场效应晶体管(FinFET)以将场效应管立体化，方能达到更小的制程。第23代28纳米制程为能采用平面场效应管，用于大规模商业化量产芯片的最后一代制程，和其他更早更大，均采用平面场效应管的制程，一起被归入成熟制程。^{[24][25][26][27][28]}

美国对先进和成熟制程之定义较中国大陆为严格，即大于18纳米的芯片制程为成熟制程，18纳米和小于18纳米的为先进制程。^{[29][30][31][32]}如此定义的科学依据是根据芯片生产设备：干式光刻机即使采用多重曝光技术，也无法达到大规模商业化量产16/18纳米芯片所需的良率，因此从第25代16/18纳米制程起，必须只能采用湿式光刻机；^[33]芯片生产成本和技术难度也随之大幅增加。美国于2020年代初为扼制中国大陆发展先进芯片制造业，对中国大陆发起的封锁制裁措施之一，就是禁运断供16纳米逻辑芯片和18纳米存储芯片所需的芯片生产设备。^{[29][30][31][32]}